Avance científico clave
Un nuevo tipo de magnetismo abre el camino a memorias más rápidas para la inteligencia artificial
Investigadores japoneses confirmaron que películas delgadas de dióxido de rutenio pertenecen a la familia de los altermagnets, una nueva clase de materiales que promete revolucionar el almacenamiento de datos y la espintrónica.
26 de Diciembre de 2025
Investigadores de Japón lograron confirmar experimentalmente un nuevo tipo de magnetismo que podría marcar un antes y un después en la tecnología de memoria utilizada por la inteligencia artificial y los dispositivos electrónicos avanzados. Se trata del altermagnetismo, un fenómeno identificado en películas delgadas de dióxido de rutenio, un material conocido como RuO₂.
El hallazgo posiciona a los altermagnets como una tercera categoría fundamental de materiales magnéticos, distinta del ferromagnetismo y el antiferromagnetismo tradicionales. A diferencia de los materiales magnéticos actuales usados en memorias, estos nuevos compuestos combinan alta estabilidad frente a interferencias externas con la posibilidad de lectura eléctrica, una limitación histórica de los antiferromagnéticos.
El equipo logró fabricar películas delgadas de RuO₂ con una única orientación cristalina, un paso clave que permitió resolver inconsistencias que habían frenado investigaciones previas en distintos laboratorios del mundo. Al controlar el crecimiento del material sobre sustratos de zafiro, los científicos obtuvieron estructuras de alta calidad y comportamiento magnético reproducible.
Mediante técnicas avanzadas de análisis con rayos X, confirmaron que la magnetización total se cancela, característica central del altermagnetismo, pero al mismo tiempo detectaron una magnetorresistencia dependiente del giro electrónico, lo que permitió leer el estado magnético a través de señales eléctricas. Los resultados coincidieron con cálculos teóricos de anisotropía magnetocristalina, reforzando la validez del descubrimiento.
Los investigadores sostienen que este tipo de materiales podría permitir memorias magnéticas más rápidas, compactas y eficientes en consumo energético, claves para el desarrollo de sistemas de inteligencia artificial, centros de datos y dispositivos de próxima generación. Además, las técnicas de análisis desarrolladas podrían acelerar la identificación de otros materiales altermagnéticos y potenciar el avance de la espintrónica.
